2025年7月9日,JEDEC固態技術協會發布了JESD209-6,即最新的低功耗雙倍數據速率6(LPDDR6)標準,旨在顯著提升多種應用場景(包括移動設備和人工智能)的內存速度與效率。
性能提升:
雙子通道架構:采用雙子通道架構,每顆裸片支持兩個子通道,每個子通道有12個數據信號線,優化通道性能。同時保持最小訪問間隔32字節,允許更靈活的操作,還支持32/64字節訪問。
優化指令尋址:每個子通道包含4個指令/尋址指令,優化減少焊球數量,改進數據訪問速度。
支持靜態能效模式:可支持更大容量,最大化利用bank資源。
改進信號完整性:支持動態寫入NT-ODT(非目標片上終止),可以根據負載需求調整ODT,改進信號完整性。
能效改進:
降低電壓功耗:采用更低的電壓和低功耗VDD2供電,并且規定VDD2需采用雙電源供電。
交替時鐘命令輸入:提高性能和能效。
低功耗動態電壓頻率調整:在低頻率運行時減少VDD2供電,從而節省功耗。
動態效率模式:采用單個子通道接口,適合低功耗、低帶寬場景。
刷新功耗降低:支持部分自刷新、主動刷新,降低刷新功耗。
安全性與可靠性增強:
支持每行激活計數:支持內存數據完整性。
預留元模式:通過為關鍵任務分配特定內存區域,提高整體系統可靠性。
可編程鏈路保護機制:支持可編程鏈路保護機制、ECC糾錯校驗。
增強錯誤檢測:支持命令/地址(CA)奇偶校驗、錯誤擦洗、內存內置自測試(MBIST),以增強錯誤檢測能力和系統可靠性。
Advantest、Cadence、Synopsys、三星、SK海力士、美光、高通、聯發科等半導體測試廠商、內存芯片廠商、終端廠商都表達了對LPDDR6的支持和期待。預計2025年下半年高通首發的LPDDR6內存將量產,可能會應用于驍龍8至尊二代等平臺。